Gallium.

7N (99,99999) Gallium aus Halbleiterabfällen, gefolgt von einem Dosiergießen mit einer Genauigkeit von 0,1 g (Gießgewicht von 0,1 bis 2 kg) des Targets und Materialien zum Sprühen und Verdampfen von Filmen;abriebfeste Beschichtungen auf Basis von Siliciumcarbid, Titannitrid und Pyrokohlenstoff von besonderer Reinheit; Einkristalle und Platten aus Galliumarsenid, Indiumarsenid, Indiumphosphid, Einkristalle aus Galliumantimonid, Indiumantimonid; CdZnTe-Substrate; Epitaxieschichten aus CdHgTe; Epitaxiestrukturen aus festen Lösungen von Quecksilber-Cadmium-Telurium für Matrix-IR-Photoprixe; Cds und viele andere Geräte auf Basis von PhotoTegen;